閃存芯片上的閃存顆粒質(zhì)優(yōu)與否,，關(guān)系到閃存芯片的讀取速度,、容量,、壽命以及價(jià)格等結(jié)果。閃存顆粒是存儲(chǔ)原料,，閃存顆粒可以說是閃存芯片的核心,。存儲(chǔ)芯片所使用的閃存顆粒類型,、等級(jí)、品牌均影響著產(chǎn)品的性能,、特性,、品質(zhì)，以下我們從閃存顆粒類型了解閃存芯片的核心—數(shù)據(jù)“倉庫”,。

采用閃存顆粒來進(jìn)行存儲(chǔ)是閃存芯片的主要特點(diǎn),，可以說閃存顆粒就像倉庫，用來存放大量數(shù)據(jù),。根據(jù)密度差異閃存顆粒會(huì)主要分為SLC,、MLC、TLC,、QLC,、PLC（未面世）五種類型：

SLC（全稱：Single-Level Cell）

又稱為單層式儲(chǔ)存 ，即每單元存儲(chǔ)1bit信息（1bit/cell）,。一個(gè)蘿卜一個(gè)坑的存儲(chǔ)容量,，這也意味著采用SLC顆粒的閃存芯片容量注定不會(huì)太大，但除了這個(gè)“缺憾”之外,，SLC的其他方面則要更加優(yōu)于其他類型的閃存顆粒,。

SLC的擦寫壽命是5種顆粒中最長的，能夠達(dá)到約10萬次,。另外SLC也是五種顆粒類型中讀寫速度最快,、讀寫數(shù)據(jù)最精確、質(zhì)量最好同時(shí)造價(jià)也是最貴的顆粒。

MLC（全稱：Multi-Level Cell）

又稱為雙層式儲(chǔ)存 ,，即每單元存儲(chǔ)2bit信息（2bit/cell）,。存儲(chǔ)容量比SLC大，成本相對于SLC大大降低,。

但MLC的擦寫壽命要比SLC差不少,，僅能夠達(dá)到約1萬次。且相較于SLC,，MLC的讀寫速度,、質(zhì)量、精確度次于SLC,，成本相對高于除SLC以外的其他顆粒,，目前多用于工業(yè)存儲(chǔ)中。

TLC（全稱：Trinary-Level Cell）

又稱為三層式儲(chǔ)存 ,，即每單元存儲(chǔ)3bit信息（3bit/cell）,。到此可以看出這五種閃存顆粒每單元可存儲(chǔ)的信息是層層遞進(jìn)的，都是在上一個(gè)的基礎(chǔ)上+1bit信息,，容量越來越大,。

TLC是目前最常見到的閃存顆粒，應(yīng)用非常廣泛,，其擦寫壽命能夠達(dá)到約1000次,。雖然在數(shù)據(jù)上，TLC的讀寫速度,、顆粒質(zhì)量以及壽命都不及SLC和MLC,，但其成本低得多，如果作為日常使用其實(shí)能完全滿足普通消費(fèi)者的需求,。目前TLC多用于市面上的固態(tài)硬盤中,。

QLC（全稱：Quad-Level Cell）

又稱為四層式儲(chǔ)存 ，即每單元存儲(chǔ)4bit信息（4bit/cell）,。其擦寫壽命相對較短,，僅能夠達(dá)到150次，但存儲(chǔ)密度最大,、成本也最低,，優(yōu)勢還是很明顯的。目前主要應(yīng)用于大容量的固態(tài)硬盤,。

PLC（全稱：Penta-level cell）

又稱為五層式儲(chǔ)存,，即每單元存儲(chǔ)5bit信息（5bit/cell）。該閃存顆粒目前還沒有正式產(chǎn)品發(fā)布,，但有希望在未來的幾年內(nèi)問世,，相信能夠?yàn)镾SD產(chǎn)品帶來更大的存儲(chǔ)空間和單元存儲(chǔ)更低的成本,。不過PLC的推廣將很大受限于它的速度和壽命，還需進(jìn)一步了解,。

根據(jù)上述內(nèi)容可將閃存顆粒按照數(shù)據(jù)穩(wěn)定性,、速度以及價(jià)格排序?yàn)镾LC＞MLC＞TLC＞QLC＞PLC，容量則相反SLC＜MLC＜TLC＜QLC＜PLC,。固態(tài)硬盤品牌多數(shù)使用的是TLC閃存顆粒,，雖然速度和壽命上不及使用SLC和MLC顆粒的固態(tài)硬盤，但搭配上優(yōu)秀的主控以及高速接口,，運(yùn)用了3D NAND技術(shù)的3D TLC顆粒實(shí)現(xiàn)了性能躍進(jìn),。