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芯科普 | 一文了解新型存儲器MRAM

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芯科普 | 一文了解新型存儲器MRAM
2023年04月19日

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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲器,。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,,以及動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)的高集成度,,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入,。

即:MRAM是非揮發(fā)性介質(zhì),;

MRAM是磁性隨機(jī)存儲介質(zhì),;

MRAM具有RAM的讀寫速度,;

MRAM可接近無限次寫入,。

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1,、非易失性:鐵磁體的磁性不會由于斷電而消失,,故MRAM具備非易失性。
2,、極高的讀寫壽命:鐵磁體的磁性不僅斷電不會消失,,而是幾乎可以認(rèn)為永不消失,故MRAM可以無限次重寫,。
3,、低延遲,、高速讀寫、功耗低:MRAM的寫入時間可低至2.3ns,,并且功耗極低,,可實現(xiàn)瞬間開關(guān)機(jī)并能延長便攜機(jī)的電池使用時間。
4,、MRAM 對阿爾法粒子的固有免疫能力,,能在輻射環(huán)境下正常工作。

5,、高可靠性,,不需要額外的 ECC 校驗。

6,、擁有SPI /PPI兩種接口,。

7、SPI MRAM 支持 SPI,、DPI,、QPI 模式切換,頻率高達(dá) 108MHz,,支持 XIP 功能,。

8、PPI MRAM 支持 x16 I/O,,Parallel Asynchronous 和 Page Mode Interface,。

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MRAM 的特性是MRAM 在許多應(yīng)用上擁有極高靈活性的主要原因。目前主要用于RAID片上日志存儲器,、可編程邏輯控制器,、工業(yè)級內(nèi)存模塊等。

例,,在工業(yè)控制和監(jiān)視領(lǐng)域:存儲用途包括實時數(shù)據(jù)存儲,,快速備份數(shù)據(jù)檢索和機(jī)器操作程序代碼。

多功能打印機(jī):控制代碼和用戶設(shè)置存儲,,用于維護(hù)計劃的使用情況數(shù)據(jù)日志以及用于檢索單個事務(wù)的緩存緩沖區(qū)

機(jī)器人:控制代碼,,配置文件和設(shè)置。通常非易失性存儲器越大,,機(jī)器人可以執(zhí)行的指令越多

數(shù)據(jù)交換機(jī)和路由器:存儲系統(tǒng)配置,用戶設(shè)置和固件,。安全性和身份驗證設(shè)置也將被存儲

助聽器:將不同的用戶操作設(shè)置存儲在用戶喜歡的各種活動和聲音響應(yīng)中,。用戶喜歡的設(shè)置,例如在不同使用和環(huán)境條件下的音量和音頻頻率,,會被存儲和激活,。

隨著AI,、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的興起,使得大數(shù)據(jù)的應(yīng)用越來越廣泛,,而這些新興領(lǐng)域在不斷推進(jìn)著存儲器追趕先進(jìn)技術(shù)的腳步,,MRAM的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒃絹碓綇V闊。


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