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芯科普 | 一文了解DDR3/DDR4/LPDDR4的接口差異

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芯科普 | 一文了解DDR3/DDR4/LPDDR4的接口差異
2023年08月18日

image.pngDDR3/DDR4/LPDDR4三者的不同點從外部來看主要是通過不同的接口來實現(xiàn)。因此我們從接口實現(xiàn)上來看這三者之間的差異。

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DDR3的接口為SSTL(Stub Series Terminated Logic)，匹配電阻上拉到VDDQ/2,。image.png

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DDR4匹配電阻上拉到VDDQ，可稱為POD(Pseudo Open Drain),，用以減少IO電流消耗,。對DDR4的POD來說,，drive High(logic level ”1” )幾乎不耗電,，可以用這特點搭配DBI(Data bus inversion)來降低功耗,。當一個字節(jié)里的 ”0” bits比 ”1” bits多時，可以使能DBI,，將整個字節(jié)的“0”和“1”反轉(zhuǎn),，這樣 “1” bits就會比“0” bits多，達到省電的效果,。

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LPDDR4的匹配電阻下拉到VSSQ, 稱為LVSTL(Low Voltage Swing Terminated Logic), 這樣可以更省電,，LPDDR4靠NMOS 晶體管pull up,，也可以工作在更低的電壓,。

image.png從上述DDR3到LPDDR4接口設(shè)計的演變的呈現(xiàn),，其目的主要是是為了滿足產(chǎn)品對低功耗的要求，因此其工作電壓也變得越來越低,。