DDR3/DDR4/LPDDR4三者的不同點(diǎn)從外部來看主要是通過不同的接口來實(shí)現(xiàn)。因此我們從接口實(shí)現(xiàn)上來看這三者之間的差異,。

DDR3的接口為SSTL(Stub Series Terminated Logic),，匹配電阻上拉到VDDQ/2,。

DDR4匹配電阻上拉到VDDQ,，可稱為POD(Pseudo Open Drain)，用以減少IO電流消耗,。對DDR4的POD來說,，drive High(logic level ”1” )幾乎不耗電，可以用這特點(diǎn)搭配DBI(Data bus inversion)來降低功耗,。當(dāng)一個字節(jié)里的 ”0” bits比 ”1” bits多時,，可以使能DBI，將整個字節(jié)的“0”和“1”反轉(zhuǎn),，這樣 “1” bits就會比“0” bits多,，達(dá)到省電的效果。

LPDDR4的匹配電阻下拉到VSSQ, 稱為LVSTL(Low Voltage Swing Terminated Logic), 這樣可以更省電,，LPDDR4靠NMOS 晶體管pull up,，也可以工作在更低的電壓。

從上述DDR3到LPDDR4接口設(shè)計(jì)的演變的呈現(xiàn),，其目的主要是是為了滿足產(chǎn)品對低功耗的要求,，因此其工作電壓也變得越來越低。