現(xiàn)階段智能終端設(shè)備,，無論是可穿戴設(shè)備還是車聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品,，亦或是其他終端設(shè)備,，小型化、輕薄化均是大勢(shì)所趨,。多芯片封裝嵌入式存儲(chǔ)芯片(MCP),，如eMCP、uMCP,、nMCP等,，集成了閃存和內(nèi)存芯片，滿足了在越來越小的空間里加入更多性能和特性的需求,。ePOP嵌入式存儲(chǔ)芯片,，集成了eMMC和LPDDR，采用全新設(shè)計(jì)工藝,，垂直搭載在SoC上,，體積更小，提供設(shè)備小型化進(jìn)程支持,。

終端設(shè)備走向智能化,，需要解決設(shè)備的快速交互和響應(yīng)問題。此前,，終端設(shè)備缺乏高性能存儲(chǔ)設(shè)備,，很難和內(nèi)部SoC進(jìn)行快速聯(lián)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)和指令進(jìn)行快速響應(yīng),。從eMMC到UFS,，嵌入式存儲(chǔ)器始終在推進(jìn)存儲(chǔ)性能提升。從UFS2.0開始,，便提供了HS-G2和HS-G3（可選）兩個(gè)傳輸信道,，理論帶寬分別能達(dá)到5.8Gbps（725MB/s）和11.6Gbps（1450MB/s）,，后續(xù)每一代的嵌入式存儲(chǔ)器都在上一代基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了性能的提升,，共同為終端設(shè)備指令的快速響應(yīng),，提供存儲(chǔ)性能支撐，進(jìn)而加速終端設(shè)備智能化腳步,。

終端設(shè)備智能化進(jìn)程中,，功耗表現(xiàn)和性能是相輔相成的，功耗和性能的均衡,，才能讓設(shè)備長(zhǎng)久高效經(jīng)濟(jì)的工作,。嵌入式存儲(chǔ)器作為終端設(shè)備的重要組成，它的功耗表現(xiàn)也會(huì)影響到整體的功耗性能平衡,。

與標(biāo)準(zhǔn) DDR DRAM 通道（64 位寬）相比,，LPDDR DRAM 通道通常為 16 位或 32 位寬。與標(biāo)準(zhǔn) DRAM 產(chǎn)品一樣,，每個(gè)連續(xù)的 LPDDR 標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品都瞄準(zhǔn)了比其前代產(chǎn)品更高的性能和更低的功耗目標(biāo),。LPDDR4 在 1.1V 的工作電壓下的數(shù)據(jù)速率最高可達(dá) 4266Mbps，LPDDR4X 能夠通過將 I/O 電壓 (VDDQ) 從 1.1 V 降低到 0.6 V 來額外降低功耗,，LPDD4X 設(shè)備也可以實(shí)現(xiàn)高達(dá) 4267Mbps 的速率,。

可靠,、穩(wěn)定存儲(chǔ),，智能終端設(shè)備的應(yīng)用場(chǎng)景，大都需要長(zhǎng)久不斷電持續(xù)工作，維持實(shí)際業(yè)務(wù)不掉線,。這就意味著主導(dǎo)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和傳輸?shù)那度胧酱鎯?chǔ)器,，需要更高的可靠性，穩(wěn)定的實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸不掉線,，配合SoC等其他組件,，實(shí)現(xiàn)指令長(zhǎng)久而快速的響應(yīng)。

NAND芯片,，作為嵌入式存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)也是核心部件,，具備高耐久特性；尤其是原廠的NAND芯片,，大都有更先進(jìn)的閃存架構(gòu),，更領(lǐng)先的制造和封裝工藝，使得配置原廠NAND芯片的嵌入式存儲(chǔ)器,，大都具備更高的TBW,，能夠適應(yīng)智能終端設(shè)備，實(shí)時(shí)在線穩(wěn)定運(yùn)維的業(yè)務(wù)需求,。此外,，在軟件層面，嵌入式存儲(chǔ)器廠商也都積極開發(fā)諸如主機(jī)碎片整理等方面的技術(shù),，進(jìn)一步優(yōu)化碎片文件,，提升NAND芯片及存儲(chǔ)器壽命,。

實(shí)際上,，除了小型化、性能,、功耗和可靠性,，嵌入式存儲(chǔ)器還在兼容通用性等方面有著相當(dāng)優(yōu)勢(shì)，基于這些硬件特性,，終端設(shè)備上更多的智能功能和設(shè)計(jì),，得以落地，由圖紙變成了現(xiàn)實(shí),，加速終端設(shè)備智能化進(jìn)程,。